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快充方案之重要元件MOSFET的选择
近期很多的客户反馈做了不少的快充方案项目,但在前期设计中总不是那么的顺利,不是PCBA板的体积不够大就是工作是温度高、不是MOSFET、电容、电感等辅料成本高就是功率达不到。今天我们重点谈谈MOSFET(AT4435、AT4410)在快充方案之选择应用的重要性。
首先在ZXW602快充方案中针对参数的重要性做选择,这个才有利于快充技术高效率工作。重点看:1、Vds电压。2、Rds(on)内阻。 3、Id电流。4、Ton-Toff开关时间。主要决定整个产品的品质。详细见下图。
其次ZXW602快充方案在MOSFET封装的选择,这个对应我们需求的工作电流,工作温度及PCBA板的尺寸大小。对于移动电源快充方案而言,通常选用之封装有QFN3*3、ESOP8、QFN5*6等等。主要决定于功率大小、成本、PCB空间尺寸。
再者ZXW602快充方案之MCU与MOSFET配合工作的时间频率。它对于决定电感值的大小、工作频率。安规高频工作时是否方便通过。详细的参数见下图。
最后重要说明一下我们通常忽略了的Rds(on)内阻,我们必须要先了解MOSFET的工作电压,才能知道可工作的电流及换算出产品工作时的温度。详细见下图。