快充方案之重要元件MOSFET的选择

    近期很多的客户反馈做了不少的快充方案项目，但在前期设计中总不是那么的顺利，不是PCBA板的体积不够大就是工作是温度高、不是MOSFET、电容、电感等辅料成本高就是功率达不到。今天我们重点谈谈MOSFET（AT4435、AT4410）在快充方案之选择应用的重要性。

首先在ZXW602快充方案中针对参数的重要性做选择，这个才有利于快充技术高效率工作。重点看：1、Vds电压。2、Rds(on)内阻。 3、Id电流。4、Ton-Toff开关时间。主要决定整个产品的品质。详细见下图。

    其次ZXW602快充方案在MOSFET封装的选择，这个对应我们需求的工作电流，工作温度及PCBA板的尺寸大小。对于移动电源快充方案而言，通常选用之封装有QFN3*3、ESOP8、QFN5*6等等。主要决定于功率大小、成本、PCB空间尺寸。

再者ZXW602快充方案之MCU与MOSFET配合工作的时间频率。它对于决定电感值的大小、工作频率。安规高频工作时是否方便通过。详细的参数见下图。

最后重要说明一下我们通常忽略了的Rds(on)内阻,我们必须要先了解MOSFET的工作电压，才能知道可工作的电流及换算出产品工作时的温度。详细见下图。